casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES:D
Número da peça de fabricante | MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES:D |
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Número da peça futura | FT-MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES:D |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES:D Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamanho da memória | 32Gb (1G x 32) |
Freqüência do relógio | 1866MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | - |
Tensão - fonte | 1.1V |
Temperatura de operação | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES:D Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES:D-FT |
MT53B512M16D1Z11MWC2 MS
Micron Technology Inc.
MT53B512M16D1Z11NWC1
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2DS-053 AAT:E
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2DS-062 XT:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2DS-062 XT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2GZ-062 WT:B
Micron Technology Inc.
XC4006E-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FGG900C
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCF484I7G
Intel
EP3CLS150F484C8
Intel
EP4CE115F23C7
Intel
XC2VP20-6FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E2F27E1HG
Intel
EP4SGX360HF35I3N
Intel