casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B
Número da peça de fabricante | MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B |
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Número da peça futura | FT-MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamanho da memória | 16Gb (512M x 32) |
Freqüência do relógio | 1600MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | - |
Tensão - fonte | 1.1V |
Temperatura de operação | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B-FT |
MT53B2DANL-DC
Micron Technology Inc.
MT53B2DANP-DC
Micron Technology Inc.
MT53B2DANW-DC
Micron Technology Inc.
MT53B2DANW-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53B2DARN-DC
Micron Technology Inc.
MT53B2DARN-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53B2DATG-DC
Micron Technology Inc.
MT53B2DBDS-DC
Micron Technology Inc.
MT53B2DBDS-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53B2DBNP-DC
Micron Technology Inc.
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel