casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT53B384M32D2NP-053 WT:B
Número da peça de fabricante | MT53B384M32D2NP-053 WT:B |
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Número da peça futura | FT-MT53B384M32D2NP-053 WT:B |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT53B384M32D2NP-053 WT:B Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamanho da memória | 12Gb (384M x 32) |
Freqüência do relógio | 1866MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | - |
Tensão - fonte | 1.1V |
Temperatura de operação | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B384M32D2NP-053 WT:B Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT53B384M32D2NP-053 WT:B-FT |
MT53B192M32D1SG-062 WT ES:A
Micron Technology Inc.
MT53B192M32D1SG-062 WT ES:A TR
Micron Technology Inc.
MT53B192M32D1Z0AMWC1
Micron Technology Inc.
MT53B192M32D1Z0AMWC1 TR
Micron Technology Inc.
MT53B192M32D1Z9AMWC1
Micron Technology Inc.
MT53B192M64D2SG-062 WT ES:A
Micron Technology Inc.
MT53B192M64D2SG-062 WT ES:A TR
Micron Technology Inc.
MT53B1DADS-DC
Micron Technology Inc.
MT53B1DADS-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53B1DATG-DC
Micron Technology Inc.
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-2FG484I
Xilinx Inc.
A3P400-FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3C80F484I7N
Intel
10CL120YF484C8G
Intel
A42MX16-TQ176A
Microsemi Corporation
5AGTFD7H3F35I5N
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP1K100QC208-2N
Intel