casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT53B192M32D1SG-062 WT ES:A
Número da peça de fabricante | MT53B192M32D1SG-062 WT ES:A |
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Número da peça futura | FT-MT53B192M32D1SG-062 WT ES:A |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT53B192M32D1SG-062 WT ES:A Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Tamanho da memória | 6Gb (192M x 32) |
Freqüência do relógio | 1600MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | - |
Tensão - fonte | 1.1V |
Temperatura de operação | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B192M32D1SG-062 WT ES:A Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT53B192M32D1SG-062 WT ES:A-FT |
MT49H32M9BM-25:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M9BM-33:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M9BM-33:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M9FM-25:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M9FM-25:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M9FM-33:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M9FM-33:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H64M9BM-25:B
Micron Technology Inc.
MT49H64M9BM-25:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H64M9CBM-25E:B
Micron Technology Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel