casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT52L512M64D4GN-107 WT:B
Número da peça de fabricante | MT52L512M64D4GN-107 WT:B |
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Número da peça futura | FT-MT52L512M64D4GN-107 WT:B |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT52L512M64D4GN-107 WT:B Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Tamanho da memória | 32Gb (512M x 64) |
Freqüência do relógio | 933MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | - |
Tensão - fonte | 1.2V |
Temperatura de operação | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT52L512M64D4GN-107 WT:B Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT52L512M64D4GN-107 WT:B-FT |
MT49H32M18BM-18:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18BM-25:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18BM-25:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18BM-25E:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18BM-25E:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18BM-33:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18BM-33:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18CBM-18:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18CBM-18:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18CBM-25 IT:B
Micron Technology Inc.
LCMXO2280C-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX25DF672I6
Intel
10M25DAF484C8G
Intel
XC7VX690T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
A42MX16-FPLG84
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7N
Intel
EP3SL110F780I4
Intel
10AX027E1F29I1HG
Intel