casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT49H32M18BM-25E:B
Número da peça de fabricante | MT49H32M18BM-25E:B |
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Número da peça futura | FT-MT49H32M18BM-25E:B |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT49H32M18BM-25E:B Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | DRAM |
Tamanho da memória | 576Mb (32M x 18) |
Freqüência do relógio | 400MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | 15ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 144-TFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 144-µBGA (18.5x11) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT49H32M18BM-25E:B Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT49H32M18BM-25E:B-FT |
MT47H64M16NF-25E XIT:M
Micron Technology Inc.
MT47H64M16NF-25E:M
Micron Technology Inc.
MT47H64M16U88BWC1
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CF-25E AIT:G TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CF-25E L:G TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8SH-187E:H TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8SH-25E IT:H
Micron Technology Inc.
MT47H64M8SH-25E:H
Micron Technology Inc.
MT47R256M8EB-25E:C
Micron Technology Inc.
MT47R512M4EB-25E:C
Micron Technology Inc.
XC3S50A-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC3S1500-4FG676C
Xilinx Inc.
XC2VP70-6FF1517I
Xilinx Inc.
EPF10K200SFC672-3
Intel
EP4CGX150CF23I7
Intel
LFE2-12SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C5NES
Intel
10AX048E2F29I1SG
Intel
10AX016E3F27E1HG
Intel
EP20K60EFC324-2
Intel