casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT52L1G64D8QC-107 WT:B TR
Número da peça de fabricante | MT52L1G64D8QC-107 WT:B TR |
---|---|
Número da peça futura | FT-MT52L1G64D8QC-107 WT:B TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT52L1G64D8QC-107 WT:B TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Tamanho da memória | 64Gb (1G x 64) |
Freqüência do relógio | 933MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | - |
Tensão - fonte | 1.2V |
Temperatura de operação | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT52L1G64D8QC-107 WT:B TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT52L1G64D8QC-107 WT:B TR-FT |
MT40A512M16JY-062E:B
Micron Technology Inc.
MT40A512M16JY-062E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A512M16JY-075E AIT:B
Micron Technology Inc.
MT40A512M16JY-075E IT:B
Micron Technology Inc.
MT40A512M16JY-075E:B
Micron Technology Inc.
MT40A512M16JY-083E AAT:B
Micron Technology Inc.
MT40A512M16JY-083E AIT:B
Micron Technology Inc.
MT40A512M16JY-083E AUT:B
Micron Technology Inc.
MT40A512M16LY-062E:E
Micron Technology Inc.
MT40A512M16LY-062E:E TR
Micron Technology Inc.
XC4006E-2TQ144I
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ208M
Microsemi Corporation
M2GL050-1VFG400
Microsemi Corporation
10CX220YF780I5G
Intel
5CGXFC4F6M11I7N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-2
Intel