casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT40A512M16LY-062E:E TR
Número da peça de fabricante | MT40A512M16LY-062E:E TR |
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Número da peça futura | FT-MT40A512M16LY-062E:E TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT40A512M16LY-062E:E TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
Tamanho da memória | 8Gb (512M x 16) |
Freqüência do relógio | 1.6GHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.14V ~ 1.26V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A512M16LY-062E:E TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT40A512M16LY-062E:E TR-FT |
MT29F4G08ABBEAH4-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBEAM70M3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABADAH4-AIT:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABADAH4-AIT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBDAH4-AIT:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBDAH4-AIT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABBDAH4-IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4T08CTHBBM5-3R:B
Micron Technology Inc.
MT29F4T08CTHBBM5-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F4T08EUHAFM4-3T:A
Micron Technology Inc.
XC2S30-5VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C9L
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation