casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT47H256M4BT-37E:A
Número da peça de fabricante | MT47H256M4BT-37E:A |
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Número da peça futura | FT-MT47H256M4BT-37E:A |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT47H256M4BT-37E:A Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
Tamanho da memória | 1Gb (256M x 4) |
Freqüência do relógio | 267MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 15ns |
Tempo de acesso | 400ps |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 92-VFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 92-FBGA (11x19) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H256M4BT-37E:A Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT47H256M4BT-37E:A-FT |
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAWP-AITX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAWP-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAWP-AATX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-AATX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-AITX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBADBWP-12IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABADAWP-AIT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBABAWP-M:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABACAWP-IT:C TR
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