casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT29F4G08ABAEAWP-IT:E TR
Número da peça de fabricante | MT29F4G08ABAEAWP-IT:E TR |
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Número da peça futura | FT-MT29F4G08ABAEAWP-IT:E TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT29F4G08ABAEAWP-IT:E TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Tamanho da memória | 4Gb (512M x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 48-TSOP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F4G08ABAEAWP-IT:E TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT29F4G08ABAEAWP-IT:E TR-FT |
MT49H32M18CSJ-25E IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18CSJ-25E:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18CSJ-25E:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18SJ-18:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18SJ-18:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M9FM-25 TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M9FM-33 TR
Micron Technology Inc.
MT49H64M9SJ-25E:B
Micron Technology Inc.
MT49H64M9SJ-25E:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H8M36BM-33 TR
Micron Technology Inc.
M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40C3N
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SGXEB6R3F43C3
Intel
EP4SGX360KF43I4
Intel
XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400EBC652-2X
Intel