casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT46V32M16P-5B:J TR
Número da peça de fabricante | MT46V32M16P-5B:J TR |
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Número da peça futura | FT-MT46V32M16P-5B:J TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT46V32M16P-5B:J TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR |
Tamanho da memória | 512Mb (32M x 16) |
Freqüência do relógio | 200MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 15ns |
Tempo de acesso | 700ps |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.5V ~ 2.7V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 66-TSOP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT46V32M16P-5B:J TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT46V32M16P-5B:J TR-FT |
MT29F8G08BAAWP:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08FACWP:C TR
Micron Technology Inc.
NAND01GW3B2CN6E
Micron Technology Inc.
NAND02GR3B2DN6E
Micron Technology Inc.
NAND02GW3B2DN6E
Micron Technology Inc.
NAND04GR3B2DN6E
Micron Technology Inc.
NAND04GW3B2DN6E
Micron Technology Inc.
NAND04GW3C2BN6E
Micron Technology Inc.
NAND08GW3C2BN6E
Micron Technology Inc.
NAND08GW3D2AN6E
Micron Technology Inc.