casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT46V128M4P-6T:F TR
Número da peça de fabricante | MT46V128M4P-6T:F TR |
---|---|
Número da peça futura | FT-MT46V128M4P-6T:F TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT46V128M4P-6T:F TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR |
Tamanho da memória | 512Mb (128M x 4) |
Freqüência do relógio | 167MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 15ns |
Tempo de acesso | 700ps |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.3V ~ 2.7V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 66-TSOP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT46V128M4P-6T:F TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT46V128M4P-6T:F TR-FT |
NAND08GW3D2AN6E
Micron Technology Inc.
NAND08GW3F2AN6E
Micron Technology Inc.
NAND128W3A0BN6E
Micron Technology Inc.
NAND128W3A0BN6F TR
Micron Technology Inc.
NAND128W3A2BN6E
Micron Technology Inc.
NAND128W3A2BN6F TR
Micron Technology Inc.
NAND128W3A2BNXE
Micron Technology Inc.
NAND16GW3D2BN6E
Micron Technology Inc.
NAND16GW3F2AN6E
Micron Technology Inc.
NAND256W3A2BN6E
Micron Technology Inc.
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-2FG484I
Xilinx Inc.
A3P400-FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3C80F484I7N
Intel
10CL120YF484C8G
Intel
A42MX16-TQ176A
Microsemi Corporation
5AGTFD7H3F35I5N
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP1K100QC208-2N
Intel