casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT41K512M8V00HWC1
Número da peça de fabricante | MT41K512M8V00HWC1 |
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Número da peça futura | FT-MT41K512M8V00HWC1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT41K512M8V00HWC1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR3L |
Tamanho da memória | 4Gb (512M x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.283V ~ 1.45V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT41K512M8V00HWC1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT41K512M8V00HWC1-FT |
MT29F64G08CBABAL84A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBABAL84A3WC1-M
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBABBWP-12IT:B
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBABBWP-12IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBABBWPR:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBJ4-5M:G
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBJ4-5M:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBL04A3WC1-M
Micron Technology Inc.