casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT29F64G08CBABBWPR:B TR
Número da peça de fabricante | MT29F64G08CBABBWPR:B TR |
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Número da peça futura | FT-MT29F64G08CBABBWPR:B TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT29F64G08CBABBWPR:B TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Tamanho da memória | 64Gb (8G x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F64G08CBABBWPR:B TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT29F64G08CBABBWPR:B TR-FT |
MT29F256G08CBCBBL06B3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CBHBBJ4-3R:B
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CBHBBJ4-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EBCAGB16A3WC1-R
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EBCAGJ4-5M:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EBCAGJ4-5M:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABAGD12-AAT:G
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABAGD12-AAT:G TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel