casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E
Número da peça de fabricante | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E |
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Número da peça futura | FT-MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH, RAM |
Tecnologia | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
Tamanho da memória | 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) |
Freqüência do relógio | 533MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.8V |
Temperatura de operação | -25°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E-FT |
MT29F64G08CBCGBSX-37BES:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBWP-B:G
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBWP-B:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBWP-BES:G
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBWP-BES:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBEDBJ4-12:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBEDBJ4-12IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBEDBL84C3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBEDBL84C3WC1-M
Micron Technology Inc.
XC3S1500-4FG676I
Xilinx Inc.
XA7A25T-1CSG325I
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208
Microsemi Corporation
MPF300TLS-FCG484I
Microsemi Corporation
10M40DAF256I7G
Intel
5SGXEA7K2F40C2
Intel
5SGSMD8K3F40C4N
Intel
XC6VLX75T-1FF484I
Xilinx Inc.
AT6003-2JI
Microchip Technology
EPF10K30RI240-4
Intel