casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT29F64G08CBCGBWP-BES:G
Número da peça de fabricante | MT29F64G08CBCGBWP-BES:G |
---|---|
Número da peça futura | FT-MT29F64G08CBCGBWP-BES:G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT29F64G08CBCGBWP-BES:G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Tamanho da memória | 64Gb (8G x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F64G08CBCGBWP-BES:G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT29F64G08CBCGBWP-BES:G-FT |
MT29F512G08CMCABK7-6:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CMCBBH7-6C:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CMCBBH7-6ITR:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CMCBBH7-6R:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CMCBBH7-6R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CMCCBH7-6ITR:C
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CMCCBH7-6ITR:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CMCCBH7-6R:C
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CMCCBH7-6R:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CMCEBJ4-37ITRES:E
Micron Technology Inc.
EPF10K30ATI144-3N
Intel
A54SX32A-2FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED6N3F45I4N
Intel
5SGSMD5H2F35I3L
Intel
A40MX04-FPL84
Microsemi Corporation
LFXP6C-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL150F780I3N
Intel