casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR
Número da peça de fabricante | MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR |
---|---|
Número da peça futura | FT-MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH, RAM |
Tecnologia | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
Tamanho da memória | 1Gb (128M x 8)(NAND), 512M (32M x 16)(LPDDR2) |
Freqüência do relógio | 533MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.8V |
Temperatura de operação | -25°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 121-WFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 121-VFBGA (8x7.5) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR-FT |
MT29F64G08CBCGBSX-37B:G
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBSX-37B:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBSX-37BES:G
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBSX-37BES:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBWP-B:G
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBWP-B:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBWP-BES:G
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBWP-BES:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBEDBJ4-12:D TR
Micron Technology Inc.
XC6SLX150T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
Intel
EP20K1000EBI652-2X
Intel