casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT29F8G01ADAFD12-AATES:F TR
Número da peça de fabricante | MT29F8G01ADAFD12-AATES:F TR |
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Número da peça futura | FT-MT29F8G01ADAFD12-AATES:F TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q100 |
MT29F8G01ADAFD12-AATES:F TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Tamanho da memória | 8Gb (8G x 1) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | SPI |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 105°C (TC) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F8G01ADAFD12-AATES:F TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT29F8G01ADAFD12-AATES:F TR-FT |
MT29F512G08CUCABH3-12IT:A
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CUCABH3-12IT:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CUCABH3-12ITZ:A
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CUCABH3-12ITZ:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CUCABJ3-10RZ:A
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CUCABJ3-10RZ:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CUCDBJ6-6ITR:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CUEDBJ6-12:D TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel