casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT29F512G08CUCDBJ6-6ITR:D TR
Número da peça de fabricante | MT29F512G08CUCDBJ6-6ITR:D TR |
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Número da peça futura | FT-MT29F512G08CUCDBJ6-6ITR:D TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT29F512G08CUCDBJ6-6ITR:D TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Tamanho da memória | 512Gb (64G x 8) |
Freqüência do relógio | 166MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F512G08CUCDBJ6-6ITR:D TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT29F512G08CUCDBJ6-6ITR:D TR-FT |
MT29F4G16ABADAWP:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAEAH4-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAEAH4-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAEAH4:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAEAH4:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAEAWP-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAEAWP-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAEAWP:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAEAWP:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F
Micron Technology Inc.
XA6SLX25-2FTG256I
Xilinx Inc.
LFE2-20SE-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-FGG484
Microsemi Corporation
EP1S20F484I6N
Intel
5SEE9F45C2LN
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF29I3
Intel
5SGSMD4H3F35I4N
Intel
EPF6016AFC100-1
Intel