casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT29F6T08ETHBBM5-3R:B
Número da peça de fabricante | MT29F6T08ETHBBM5-3R:B |
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Número da peça futura | FT-MT29F6T08ETHBBM5-3R:B |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT29F6T08ETHBBM5-3R:B Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Tamanho da memória | 6Tb (768G x 8) |
Freqüência do relógio | 333MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.5V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F6T08ETHBBM5-3R:B Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT29F6T08ETHBBM5-3R:B-FT |
MT29F2G01ABAGD12-AAT:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABAGD12-IT:G
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABAGD12-IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABAGDM79A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABAGDSF-AAT:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABAGDWB-IT:G
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAH4-AITX:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAGAH4-IT:G
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAGAH4-ITE:G
Micron Technology Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel