casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT29F6T08ETHBBM5-3R:B

| Número da peça de fabricante | MT29F6T08ETHBBM5-3R:B |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-MT29F6T08ETHBBM5-3R:B |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| MT29F6T08ETHBBM5-3R:B Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo de memória | Non-Volatile |
| Formato de memória | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NAND |
| Tamanho da memória | 6Tb (768G x 8) |
| Freqüência do relógio | 333MHz |
| Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
| Tempo de acesso | - |
| Interface de memória | Parallel |
| Tensão - fonte | 2.5V ~ 3.6V |
| Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo de montagem | - |
| Pacote / caso | - |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MT29F6T08ETHBBM5-3R:B Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | MT29F6T08ETHBBM5-3R:B-FT |

MT29F2G01ABAGD12-AAT:G TR
Micron Technology Inc.

MT29F2G01ABAGD12-IT:G
Micron Technology Inc.

MT29F2G01ABAGD12-IT:G TR
Micron Technology Inc.

MT29F2G01ABAGDM79A3WC1
Micron Technology Inc.

MT29F2G01ABAGDSF-AAT:G TR
Micron Technology Inc.

MT29F2G01ABAGDWB-IT:G
Micron Technology Inc.

MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E
Micron Technology Inc.

MT29F2G08ABAEAH4-AITX:E
Micron Technology Inc.

MT29F2G08ABAGAH4-IT:G
Micron Technology Inc.

MT29F2G08ABAGAH4-ITE:G
Micron Technology Inc.

LCMXO2280C-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation

XC7A12T-1CSG325I
Xilinx Inc.

A54SX72A-FG484
Microsemi Corporation

EP1AGX35CF484C6
Intel

10AX022E4F27E3LG
Intel

EP4SGX530KH40C2
Intel

EP4SE820H35I3
Intel

XC2V4000-5FFG1152C
Xilinx Inc.

XC7A25T-L1CPG238I
Xilinx Inc.

AGL060V2-QNG132I
Microsemi Corporation