casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT29F2G01ABAGDWB-IT:G
Número da peça de fabricante | MT29F2G01ABAGDWB-IT:G |
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Número da peça futura | FT-MT29F2G01ABAGDWB-IT:G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT29F2G01ABAGDWB-IT:G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Tamanho da memória | 2Gb (2G x 1) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | SPI |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-UDFN |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-U-PDFN (8x6) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2G01ABAGDWB-IT:G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT29F2G01ABAGDWB-IT:G-FT |
MT28HL32GQBB3ERK-0GCT
Micron Technology Inc.
MT28HL32GQBB3ERK-0GCT TR
Micron Technology Inc.
MT28HL32GQBB6EBL-0GCT
Micron Technology Inc.
MT28HL64GRBB6EBL-0GCT
Micron Technology Inc.
MT28HL64GRBB6EBL-0GCT TR
Micron Technology Inc.
MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F
Micron Technology Inc.
MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F TR
Micron Technology Inc.
MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B
Micron Technology Inc.
MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E1T08CMHBBJ4-3:B
Micron Technology Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel