casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT29F512G08CMCBBH7-6C:B
Número da peça de fabricante | MT29F512G08CMCBBH7-6C:B |
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Número da peça futura | FT-MT29F512G08CMCBBH7-6C:B |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT29F512G08CMCBBH7-6C:B Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Tamanho da memória | 512Gb (64G x 8) |
Freqüência do relógio | 166MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F512G08CMCBBH7-6C:B Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT29F512G08CMCBBH7-6C:B-FT |
MT29F4G08ABADAWP-E:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAWP-E:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAWP:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAH4-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAH4-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAH4-S:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAH4-S:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAH4:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F TR
Micron Technology Inc.
XC3S50A-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC3S1500-4FG676C
Xilinx Inc.
XC2VP70-6FF1517I
Xilinx Inc.
EPF10K200SFC672-3
Intel
EP4CGX150CF23I7
Intel
LFE2-12SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C5NES
Intel
10AX048E2F29I1SG
Intel
10AX016E3F27E1HG
Intel
EP20K60EFC324-2
Intel