casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT29F64G08AKCCBH2-10Z:C
Número da peça de fabricante | MT29F64G08AKCCBH2-10Z:C |
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Número da peça futura | FT-MT29F64G08AKCCBH2-10Z:C |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT29F64G08AKCCBH2-10Z:C Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Tamanho da memória | 64Gb (8G x 8) |
Freqüência do relógio | 100MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 100-TBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 100-TBGA (12x18) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F64G08AKCCBH2-10Z:C Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT29F64G08AKCCBH2-10Z:C-FT |
MT29F512G08CECBBJ4-37:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CECBBJ4-37:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CECBBJ4-37ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CECBBJ4-5M:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CEHBBJ4-3RES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CFCBBWP-10:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CFCBBWP-10M:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CKCABH7-6:A
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CKCABH7-6:A TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel