casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT29F64G08AKCCBH2-10Z:C
Número da peça de fabricante | MT29F64G08AKCCBH2-10Z:C |
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Número da peça futura | FT-MT29F64G08AKCCBH2-10Z:C |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT29F64G08AKCCBH2-10Z:C Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Tamanho da memória | 64Gb (8G x 8) |
Freqüência do relógio | 100MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 100-TBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 100-TBGA (12x18) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F64G08AKCCBH2-10Z:C Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT29F64G08AKCCBH2-10Z:C-FT |
MT29F512G08CECBBJ4-37:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CECBBJ4-37:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CECBBJ4-37ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CECBBJ4-5M:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CEHBBJ4-3RES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CFCBBWP-10:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CFCBBWP-10M:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CKCABH7-6:A
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CKCABH7-6:A TR
Micron Technology Inc.
XC7A50T-2FG484I
Xilinx Inc.
XC4028XL-2BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQG176M
Microsemi Corporation
M1A3P400-FGG144
Microsemi Corporation
LFEC6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C7
Intel
EP4CE55F29I8L
Intel
EP20K600CB652C8
Intel