casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT29F512G08CEHBBJ4-3RES:B TR
Número da peça de fabricante | MT29F512G08CEHBBJ4-3RES:B TR |
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Número da peça futura | FT-MT29F512G08CEHBBJ4-3RES:B TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT29F512G08CEHBBJ4-3RES:B TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Tamanho da memória | 512Gb (64G x 8) |
Freqüência do relógio | 333MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.5V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F512G08CEHBBJ4-3RES:B TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT29F512G08CEHBBJ4-3RES:B TR-FT |
MT29F4G01AAADDHC-IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ABAFD12-AATES:F
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ABAFD12-AATES:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ABAFD12-ITES:F
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ABAFD12-ITES:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ABAFDWB-IT:F
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ABAFDWB-ITES:F
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ABAFDWB-ITES:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ABBFD12-AATES:F
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR
Micron Technology Inc.
EPF10K30ATI144-3N
Intel
A54SX32A-2FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED6N3F45I4N
Intel
5SGSMD5H2F35I3L
Intel
A40MX04-FPL84
Microsemi Corporation
LFXP6C-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL150F780I3N
Intel