casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT29F4G08ABAEAH4-S:E TR
Número da peça de fabricante | MT29F4G08ABAEAH4-S:E TR |
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Número da peça futura | FT-MT29F4G08ABAEAH4-S:E TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT29F4G08ABAEAH4-S:E TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Tamanho da memória | 4Gb (512M x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 63-VFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 63-VFBGA (9x11) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F4G08ABAEAH4-S:E TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT29F4G08ABAEAH4-S:E TR-FT |
MT29F2T08CQHBBG2-3R:B
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CQHBBG2-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CQHBBG2-3RES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CTCBBJ7-6C:B
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CTCBBJ7-6R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CTCCBJ7-6C:C
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CTCCBJ7-6C:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CTCCBJ7-6R:C
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CTCCBJ7-6R:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CUCBBK9-37:B
Micron Technology Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel