casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT49H32M18CSJ-25E:B
Número da peça de fabricante | MT49H32M18CSJ-25E:B |
---|---|
Número da peça futura | FT-MT49H32M18CSJ-25E:B |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT49H32M18CSJ-25E:B Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | DRAM |
Tamanho da memória | 576Mb (32M x 18) |
Freqüência do relógio | 400MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | 15ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 144-TFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 144-FBGA (18.5x11) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT49H32M18CSJ-25E:B Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT49H32M18CSJ-25E:B-FT |
MT47H64M8CB-25:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-37E IT:B
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-37E IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-37E:B
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-37E:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-37V:B
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-37V:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-3:B
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-5E IT:B
Micron Technology Inc.