casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT29F2G08ABAEAWP-AT:E TR
Número da peça de fabricante | MT29F2G08ABAEAWP-AT:E TR |
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Número da peça futura | FT-MT29F2G08ABAEAWP-AT:E TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT29F2G08ABAEAWP-AT:E TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Tamanho da memória | 2Gb (256M x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2G08ABAEAWP-AT:E TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT29F2G08ABAEAWP-AT:E TR-FT |
MT29F256G08CBCBBJ4-37:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CBCBBJ4-37ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CBCBBJ4-5M:B
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CBCBBWP-10:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CBCBBWP-10ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CBCBBWP-10M:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CBHBBJ4-3RES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CBHBBL06B3WC1-R
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CECABH6-6:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CECABH6-6:A TR
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX290NF45I4N
Intel
XC7VX690T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
XC7S50-1CSGA324C
Xilinx Inc.
APA075-TQG100
Microsemi Corporation
A42MX24-3PLG84I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2X
Intel
5SGXMA3H2F35C2N
Intel