casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B TR
Número da peça de fabricante | MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B TR |
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Número da peça futura | FT-MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Tamanho da memória | 1.5Tb (192G x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.5V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B TR-FT |
MT53D512M32D2DS-053 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2DS-053 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4HR-053 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-046 WT:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-053 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-053 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4SB-046 XT:E
Micron Technology Inc.
MT53D768M64D8NZ-046 WT:E
Micron Technology Inc.
MT53D768M64D8NZ-046 WT:E TR
Micron Technology Inc.
XC2S15-5TQG144I
Xilinx Inc.
XCV100E-6FG256C
Xilinx Inc.
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10ATC100-1
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
XC5VLX110-2FFG1760I
Xilinx Inc.
10AX115S3F45I2SG
Intel
EP20K200CB652C7ES
Intel
EPF8820AQC160-3
Intel