casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT29F1G08ABAEAM68M3WC1
Número da peça de fabricante | MT29F1G08ABAEAM68M3WC1 |
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Número da peça futura | FT-MT29F1G08ABAEAM68M3WC1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT29F1G08ABAEAM68M3WC1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Tamanho da memória | 1Gb (128M x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F1G08ABAEAM68M3WC1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT29F1G08ABAEAM68M3WC1-FT |
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDB4432BBBJ-1DAUT-F-D
Micron Technology Inc.
EDB8132B4PM-1DAT-F-D
Micron Technology Inc.
EDB8132B4PM-1DAT-F-D TR
Micron Technology Inc.
EDB8164B4PK-1D-F-D
Micron Technology Inc.
EDB8164B4PK-1D-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDB8164B4PR-1D-F-D
Micron Technology Inc.
EDB8164B4PR-1D-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDB8164B4PT-1D-F-D
Micron Technology Inc.
EDB8164B4PT-1D-F-R TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640UHC-4TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P060-TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640HC-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400AN-4FT256C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N3F40C3
Intel
5SGSED6K2F40I2LN
Intel
LFXP2-30E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780I3
Intel