casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT29F128G08CECDBJ4-6ITR:D TR
Número da peça de fabricante | MT29F128G08CECDBJ4-6ITR:D TR |
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Número da peça futura | FT-MT29F128G08CECDBJ4-6ITR:D TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT29F128G08CECDBJ4-6ITR:D TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Tamanho da memória | 128Gb (16G x 8) |
Freqüência do relógio | 166MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F128G08CECDBJ4-6ITR:D TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT29F128G08CECDBJ4-6ITR:D TR-FT |
MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E4T08CTHBBM5-3ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E4T08EYHBBG9-3:B
Micron Technology Inc.
MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CKCBBH7-6:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CKCCBH7-6:C
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CMCCBH7-6ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A
Micron Technology Inc.
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel