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Micron Technology Inc. MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

Name: MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
Brand: Micron Technology Inc.
SKU: MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
Availability: InStock
Rating: 4.8 (594 reviews)

Número da peça MFG: MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

Quantidade disponível: 40510 Peças

Preço de referência: USD 0

Nosso preço: Temos um grande desconto, entre em contato conosco

Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Micron Technology Inc.

Descrição breve: - IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Memória

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR.pdf

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MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR Especificações

Número da peça de fabricante	MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
Número da peça futura	FT-MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo de memória	Non-Volatile
Formato de memória	FLASH
Tecnologia	FLASH - NAND
Tamanho da memória	512Gb (64G x 8)
Freqüência do relógio	333MHz
Escrever tempo de ciclo - Word, página	-
Tempo de acesso	-
Interface de memória	Parallel
Tensão - fonte	2.5V ~ 3.6V
Temperatura de operação	0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montagem	-
Pacote / caso	-
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	-
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR-FT

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