casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
Número da peça de fabricante | MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR |
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Número da peça futura | FT-MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Tamanho da memória | 512Gb (64G x 8) |
Freqüência do relógio | 333MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.5V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR-FT |
MT29C2G48MAKLCJI-6 IT TR
Micron Technology Inc.
MT29C3DAMF-DC TR
Micron Technology Inc.
MT29C3DBAN-DC TR
Micron Technology Inc.
MT29C4G48MAAGBAAKS-5 WT
Micron Technology Inc.
MT29C4G48MAAGBAAKS-5 WT TR
Micron Technology Inc.
MT29C4G48MAAGBBAKS-48 IT
Micron Technology Inc.
MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT
Micron Technology Inc.
MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT TR
Micron Technology Inc.
MT29C4G48MAAHBAAKS-5 WT
Micron Technology Inc.
MT29C4G48MAAHBAAKS-5 WT TR
Micron Technology Inc.