casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / MSD602-RT1G
Número da peça de fabricante | MSD602-RT1G |
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Número da peça futura | FT-MSD602-RT1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MSD602-RT1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 500mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 30mA, 300mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 150mA, 10V |
Potência - Max | 200mW |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-59 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSD602-RT1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MSD602-RT1G-FT |
MMBT3416LT3G
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MMBT4124LT1G
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LFE5U-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
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