casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / MMBT3416LT3G
Número da peça de fabricante | MMBT3416LT3G |
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Número da peça futura | FT-MMBT3416LT3G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MMBT3416LT3G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 40V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 3mA, 50mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 75 @ 2mA, 4.5V |
Potência - Max | 225mW |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 (TO-236) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBT3416LT3G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MMBT3416LT3G-FT |
2N6387
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2N6487
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M2GL010S-1FGG484I
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EP20K200EFC484-2N
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5SGXEA3K2F40C2N
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EP4SGX530HH35C3NES
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Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-8LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40I2LG
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EP20K100QC240-1
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EP20K60EQI208-2X
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