casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / MRF5812R1
Número da peça de fabricante | MRF5812R1 |
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Número da peça futura | FT-MRF5812R1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MRF5812R1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 15V |
Freqüência - Transição | 5GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | 2dB ~ 3dB @ 500MHz |
Ganho | 13dB ~ 15.5dB |
Potência - Max | 1.25W |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 50mA, 5V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 200mA |
Temperatura de operação | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SO |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MRF5812R1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MRF5812R1-FT |
KSC3123OMTF
ON Semiconductor
KSC3123RMTF
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KSC3123YMTF
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KST5179MTF
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MMBT5770
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MMBT918
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MMBTH10
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MMBTH24
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XC6SLX100T-3FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-1CQ208B
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A3P1000L-FG256
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A42MX09-VQ100A
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EPF10K200SFI672-2X
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5SGXMA3E3H29C4N
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5SGXEA5H2F35I2LN
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XC7K325T-L2FFG900E
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10AX090H4F34I3LG
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