casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / MRF5812R1
Número da peça de fabricante | MRF5812R1 |
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Número da peça futura | FT-MRF5812R1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MRF5812R1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 15V |
Freqüência - Transição | 5GHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | 2dB ~ 3dB @ 500MHz |
Ganho | 13dB ~ 15.5dB |
Potência - Max | 1.25W |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 50mA, 5V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 200mA |
Temperatura de operação | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SO |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MRF5812R1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MRF5812R1-FT |
KSC3123OMTF
ON Semiconductor
KSC3123RMTF
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KSC3123YMTF
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KST5179MTF
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MMBT5770
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MMBT918
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MMBTH10
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MMBTH10LT1
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MMBTH24
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LCMXO2-256ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4052XL-2HQ304I
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XC3S50A-4VQ100C
Xilinx Inc.
A3P400-2FG484I
Microsemi Corporation
EPF10K130EFC484-1N
Intel
5SGXEA5K3F40C3N
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5SGSMD5H2F35I3LN
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EP4SGX530HH35C2ES
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XC6VLX365T-3FFG1759C
Xilinx Inc.
EP1S30F780C7
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