casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / MMBTH10
Número da peça de fabricante | MMBTH10 |
---|---|
Número da peça futura | FT-MMBTH10 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MMBTH10 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 25V |
Freqüência - Transição | 650MHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | - |
Ganho | - |
Potência - Max | 225mW |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 4mA, 10V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 50mA |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 (TO-236) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBTH10 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MMBTH10-FT |
BFP540E6327BTSA1
Infineon Technologies
BFP540ESDE6327HTSA1
Infineon Technologies
BFP620E7764BTSA1
Infineon Technologies
BFP640E6327BTSA1
Infineon Technologies
BFP650
Infineon Technologies
BFP650E6327HTSA1
Infineon Technologies
BFP740E6327HTSA1
Infineon Technologies
BGB 540 E6327
Infineon Technologies
BGR405H6327XTSA1
Infineon Technologies
BGR420H6327XTSA1
Infineon Technologies
A1425A-PQG100C
Microsemi Corporation
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
A3P250-2FGG256
Microsemi Corporation
M1AFS600-1FG256K
Microsemi Corporation
10CL010YM164C6G
Intel
XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1BG329M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17I5N
Intel