casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / MMBTH10
Número da peça de fabricante | MMBTH10 |
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Número da peça futura | FT-MMBTH10 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MMBTH10 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 25V |
Freqüência - Transição | 650MHz |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | - |
Ganho | - |
Potência - Max | 225mW |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 4mA, 10V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 50mA |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 (TO-236) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBTH10 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MMBTH10-FT |
BFP540E6327BTSA1
Infineon Technologies
BFP540ESDE6327HTSA1
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BFP620E7764BTSA1
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BFP640E6327BTSA1
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BFP650
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BFP650E6327HTSA1
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BFP740E6327HTSA1
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BGB 540 E6327
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BGR405H6327XTSA1
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BGR420H6327XTSA1
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XC3S500E-5PQG208C
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XC7A35T-1CSG325C
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EPF10K200SFC484-2
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5SGXEA7N3F40C2N
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5SGXEA5N2F45C1N
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XC7VX550T-L2FFG1158E
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-2CSG324C
Xilinx Inc.
LAE3-17EA-6FN484E
Lattice Semiconductor Corporation