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MMIX1F160N30T Image

IXYS MMIX1F160N30T

Número da peça MFG
MMIX1F160N30T
Quantidade disponível
29840 Peças
Preço de referência
USD 25.9444
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Data de envio
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fabricante
IXYS
Descrição breve
GigaMOS™, HiperFET™, TrenchT2™ MOSFET N-CH 300V 102A SMPD
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
MMIX1F160N30T.pdf
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MMIX1F160N30T Especificações

Número da peça de fabricante MMIX1F160N30T
Número da peça futura FT-MMIX1F160N30T
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series GigaMOS™, HiperFET™, TrenchT2™
MMIX1F160N30T Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 300V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 102A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 335nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2800pF @ 25V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 570W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor 24-SMPD
Pacote / caso 24-PowerSMD, 21 Leads
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MMIX1F160N30T Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição MMIX1F160N30T-FT

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