casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / MMBTA06LT1G
Número da peça de fabricante | MMBTA06LT1G |
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Número da peça futura | FT-MMBTA06LT1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MMBTA06LT1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 500mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 80V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V |
Potência - Max | 225mW |
Freqüência - Transição | 100MHz |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 (TO-236) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBTA06LT1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MMBTA06LT1G-FT |
MJE15030
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MJE15031
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MJE18004
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EPF6024ATC144-2
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Microsemi Corporation
EPF10K30EFI256-2
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5SGXEA7K2F35I3LN
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XC6VCX240T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
A42MX09-FPLG84
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3AJI
Microchip Technology
10AX090H2F34E1SG
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5AGXFA5H4F35C5N
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10AX022E3F29E1SG
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