casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / MMBT2222LT1G
Número da peça de fabricante | MMBT2222LT1G |
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Número da peça futura | FT-MMBT2222LT1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MMBT2222LT1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 600mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 30V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 10nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Potência - Max | 300mW |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 (TO-236) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MMBT2222LT1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MMBT2222LT1G-FT |
MJE5730
ON Semiconductor
MJE5731
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10M50DAF256C8G
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EP4SGX530KH40C3N
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5SGXEA7K3F35I3N
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XC5VLX50T-1FFG1136CES
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XC7S6-2CPGA196I
Xilinx Inc.
A54SX08A-FTQG100
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation