casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / MJE5731G
Número da peça de fabricante | MJE5731G |
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Número da peça futura | FT-MJE5731G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MJE5731G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 1A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 350V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 1A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1mA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 300mA, 10V |
Potência - Max | 40W |
Freqüência - Transição | 10MHz |
Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJE5731G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MJE5731G-FT |
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