casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / 2SD1060R-1E
Número da peça de fabricante | 2SD1060R-1E |
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Número da peça futura | FT-2SD1060R-1E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2SD1060R-1E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 5A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 300mA, 3A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100µA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1A, 2V |
Potência - Max | 1.75W |
Freqüência - Transição | 30MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SD1060R-1E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2SD1060R-1E-FT |
2SB1216S-H
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2SB1216T-E
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2SB1216T-H
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10M50DAF256C8G
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5SGXEA7K3F35I3N
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XC5VLX50T-1FFG1136CES
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XC7S6-2CPGA196I
Xilinx Inc.
A54SX08A-FTQG100
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation