casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / MJD50T4G
Número da peça de fabricante | MJD50T4G |
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Número da peça futura | FT-MJD50T4G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MJD50T4G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 1A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 400V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 1A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 200µA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 300mA, 10V |
Potência - Max | 1.56W |
Freqüência - Transição | 10MHz |
Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DPAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MJD50T4G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MJD50T4G-FT |
NSVBC817-40WT1G
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