casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / MIEB101H1200EH
Número da peça de fabricante | MIEB101H1200EH |
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Número da peça futura | FT-MIEB101H1200EH |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MIEB101H1200EH Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Full Bridge Inverter |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 183A |
Potência - Max | 630W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 100A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 300µA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 7.43nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | E3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | E3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MIEB101H1200EH Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MIEB101H1200EH-FT |
IRG5K200HF06B
Infineon Technologies
IRG5K200HF12B
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A3P600-2FGG144
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