casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / IRG5K200HF12B
Número da peça de fabricante | IRG5K200HF12B |
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Número da peça futura | FT-IRG5K200HF12B |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IRG5K200HF12B Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Half Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 400A |
Potência - Max | 1250W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 200A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 2mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 26nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | POWIR® 62 Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | POWIR® 62 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRG5K200HF12B Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IRG5K200HF12B-FT |
FZ1200R12HE4PHPSA1
Infineon Technologies
FZ1200R12HP4HOSA2
Infineon Technologies
FZ1200R12KF4NOSA1
Infineon Technologies
FZ1200R12KF5NDSA1
Infineon Technologies
FZ1200R12KF5NOSA1
Infineon Technologies
FZ1200R12KL4CNOSA1
Infineon Technologies
FZ1200R17HE4PHPSA1
Infineon Technologies
FZ1200R17HP4HOSA2
Infineon Technologies
FZ1200R17KE3B2NOSA1
Infineon Technologies
FZ1200R17KF6CB2NOSA1
Infineon Technologies
A3P030-QNG68
Microsemi Corporation
A54SX16P-TQ144
Microsemi Corporation
XC3S500E-4FG320I
Xilinx Inc.
XC2V80-4FGG256C
Xilinx Inc.
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
A3P1000-2FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600-1FG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQG208
Microsemi Corporation
5SEE9F45I3N
Intel
LAE3-35EA-6LFN672E
Lattice Semiconductor Corporation