casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / MG17150D-BN4MM
Número da peça de fabricante | MG17150D-BN4MM |
---|---|
Número da peça futura | FT-MG17150D-BN4MM |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MG17150D-BN4MM Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Half Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1700V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 250A |
Potência - Max | 890W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 150A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 3mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 13.6nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | D-3 Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MG17150D-BN4MM Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MG17150D-BN4MM-FT |
FZ1800R12HE4B9HOSA2
Infineon Technologies
FZ1800R17HE4B9HOSA2
Infineon Technologies
FZ2400R12HP4B9HOSA2
Infineon Technologies
FZ2400R12HP4HOSA2
Infineon Technologies
FZ2400R17HP4B9HOSA2
Infineon Technologies
FZ3600R17HE4HOSA2
Infineon Technologies
FZ3600R17HP4HOSA2
Infineon Technologies
FP15R12W1T4PB11BPSA1
Infineon Technologies
DF160R12W2H3_B11
Infineon Technologies
VS-70MT060WSP
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4006E-2TQ144C
Xilinx Inc.
A3P1000L-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40C2N
Intel
10AX022E3F29I2SG
Intel
A54SX32A-2TQ100I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048E1F29I1HG
Intel
EP1SGX25FF1020C5
Intel