casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / MD2009DFP
Número da peça de fabricante | MD2009DFP |
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Número da peça futura | FT-MD2009DFP |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MD2009DFP Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 10A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 700V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 2.8V @ 1.4A, 5.5A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 200µA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 5 @ 5.5A, 5V |
Potência - Max | 40W |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220 Full Pack |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MD2009DFP Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MD2009DFP-FT |
2SB09460P
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A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
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10M25DAF484I6G
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5SGXEA3K2F40C3
Intel
5SGXEB6R3F43I3LN
Intel
XC6VLX240T-1FFG784I
Xilinx Inc.
A42MX09-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F780I6
Intel
EPF10K50RI240-4
Intel