casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / 2SB10630P
Número da peça de fabricante | 2SB10630P |
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Número da peça futura | FT-2SB10630P |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2SB10630P Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 5A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 100V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 300mA, 3A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 50µA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1A, 5V |
Potência - Max | 2W |
Freqüência - Transição | 20MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220F-A1 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SB10630P Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2SB10630P-FT |
2SB1203S-H-TL-E
ON Semiconductor
2SB1203T-H-TL-E
ON Semiconductor
2SB1203T-TL-H
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2SB1215S-TL-H
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2SB1215T-TL-E
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2SB1215T-TL-H
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2SB1216S-TL-H
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2SB1216T-TL-E
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2SB1216T-TL-H
ON Semiconductor
2SC3074-O(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
LAXP2-5E-5FTN256E
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EP3SL70F484I4N
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5SGXMA7K2F40I3N
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LFEC6E-3FN256I
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LFE2-35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F40E1SG
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5AGXMA3D4F31C4G
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