casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / MBT35200MT1G
Número da peça de fabricante | MBT35200MT1G |
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Número da peça futura | FT-MBT35200MT1G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MBT35200MT1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 2A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 35V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 310mV @ 20mA, 2A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1.5A, 1.5V |
Potência - Max | 625mW |
Freqüência - Transição | 100MHz |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-23-6 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 6-TSOP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBT35200MT1G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBT35200MT1G-FT |
MJD18002D2T4G
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