casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MBRTA600200R
Número da peça de fabricante | MBRTA600200R |
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Número da peça futura | FT-MBRTA600200R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MBRTA600200R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 300A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 300A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 4mA @ 200V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Three Tower |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Three Tower |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRTA600200R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBRTA600200R-FT |
MURTA300120R
GeneSiC Semiconductor
MURTA30020
GeneSiC Semiconductor
MURTA30020R
GeneSiC Semiconductor
MURTA30040
GeneSiC Semiconductor
MURTA30040R
GeneSiC Semiconductor
MURTA30060
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MURTA30060R
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MURTA400120
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MURTA400120R
GeneSiC Semiconductor
MURTA40020
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XC4013XL-1HT144I
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XC6SLX25-3FTG256C
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XCKU040-L1FBVA676I
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XC2V1000-4FGG456C
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AGLN250V2-ZVQG100
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5SGXEA5N2F40I3N
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Microsemi Corporation
EP1S30B956C7
Intel