casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MURTA300120R
Número da peça de fabricante | MURTA300120R |
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Número da peça futura | FT-MURTA300120R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MURTA300120R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 150A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 2.6V @ 150A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 25µA @ 600V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Three Tower |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Three Tower |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURTA300120R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MURTA300120R-FT |
MBRT50080
GeneSiC Semiconductor
MBRT50080R
GeneSiC Semiconductor
MBRT600100
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MBRT600100R
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MBRT600150
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MBRT600150R
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MBRT60020
GeneSiC Semiconductor
MBRT600200
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MBRT60020R
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MBRT60030
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LCMXO2-1200ZE-1TG100C
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XC4005E-4PQ208I
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M2GL090-1FCSG325I
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XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2PQG208
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LCMXO3L-2100E-5UWG49CTR1K
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EP4CE75F23I7
Intel
EP2SGX60EF1152I4N
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A3P250-1FGG144T
Microsemi Corporation
EP1AGX35DF780C6N
Intel