casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MBRT60035R
Número da peça de fabricante | MBRT60035R |
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Número da peça futura | FT-MBRT60035R |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MBRT60035R Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 600A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 300A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1mA @ 20V |
Temperatura de funcionamento - junção | - |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Three Tower |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Three Tower |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRT60035R Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBRT60035R-FT |
MBRT120150R
GeneSiC Semiconductor
MBRT12020
GeneSiC Semiconductor
MBRT120200
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MBRT12030R
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EP20K160ETC144-1X
Intel
XC6SLX45-L1FGG484C
Xilinx Inc.
AGLN250V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
EPF10K100EFC484-1N
Intel
EPF10K30AFC484-3
Intel
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
XC7V585T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-3PQ160
Microsemi Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel
EPF10K50VBC356-4N
Intel